乔婧思: 北京理工大学,教授,博士生导师,爱思唯尔2020中国高被引学者。2013年中国人民大学学士,2018年中国人民大学博士。2016-2017年香港理工大学访问学者,2018-2021年新加坡国立大学博士后,2021年加入北京理工大学,入选北京理工大学海外高层次人才。主要研究方向是应用密度泛函理论与多体微扰论,与实验紧密结合,进行低维表界面体系模拟。 长期致力于研究低维表界面量子系统和信息材料与器件等领域的结构与电子结构计算模拟,取得了一系列有国际影响力的研究成果。在Nature Communications, Science Advances, Physical Review Letter, JACS, Advanced Materials等期刊上共计发表SCI论文35篇,总影响因子高于350,总引用次数超4500次,H因子16。其中(共同)第一作者和通讯作者论文22篇,ESI高被引论文6篇(被引次数位于全球前1%)。一篇一作文章单篇被引超3000次,该文获得2014-2018年物理学领域引用数最多的中国学者论文第1名,是迄今Nature Communications全期刊引用第一的文章。

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李卓航 硕士 Li, Zhuohang (M. Sc.)

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李卓航,2021年于中国人民大学获得学士学位,2021-2024 在该校攻读硕士学位,2024年赴中国工商银行广东分行任职。

刘南舒 博士Liu, Nanshu (Dr.)

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刘南舒,2021年于大连理工大学获得博士学位,2021-2024年在中国人民大学做博士后研究,2024年入职西南大学任副教授。研究兴趣主要为利用密度泛函理论探索低维材料的磁性、电极化等新奇物性及其合理调控。以第一作者或者(共同)第一作者身份在Joule, Journal of Materials Chemistry A, Materials Today Physics, Physical Review Materials, Journal of Physical Chemistry Letters等高影响力期刊上发表论文11篇,引用700余次。正在主持国家自然科学基金青年项目1项,博士后面上项目1项,并担任学术期刊ACS Applied Electronic Material的审稿人。